現在氮化鎵充電器已經逐漸開始普及到我們的生活中，各大廠商也都在積極地推出相關產品，那么氮化鎵充電器比普通充電器快嗎？下面小編將為大家帶來氮化鎵充電器和普通充電器區別介紹，感興趣的朋友一起來看看吧！
作為新被發現的第三代半導體材料之一，氮化鎵（GaN）可以說是除了第一代半導體材料硅（Si）和第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）之后、最具備應用前景的材料。
從元素組成的角度來說，氮化鎵（GaN）就是由Ga和N兩種元素組成的化合物，分別位于元素周期表的第三主族和第五主族，具備非常高的硬度、1700℃的高熔點和穩定的相態。這是氮化鎵（GaN）材料的第一個優點。
在半導體領域中，寬禁帶半導體一般指的是半導體禁帶寬度超過2.3eV的材料，目前滿足這個標準的材料就包括氮化鎵（GaN）。此外，氮化鎵（GaN）的禁帶寬度也要遠遠大于硅（Si）和砷化鎵（GaAs），約為硅（Si）材料的3倍。這意味著氮化鎵（GaN）在高溫度和強輻射的情況下本征激發載流子的能力有限。看到這里估計很多人已經看暈了，翻譯成我們日常能理解的意思就是——耐高溫能力強，這也是氮化鎵（GaN）材料被廣泛應用在高溫功率器件的原因。
氮化鎵（GaN）材料還具備介電常數小的優點。介電常數用來衡量設備本身的電容荷載，介電常數小則說明同等面積下設備的自身電容小，進而說明設備的可使用面積能得到優化，這也是解釋了為什么快充的體積由最初的大塊頭到如今的隱形眼鏡盒大小。
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